SIA915DJ-T1-GE3 datasheet
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>> SIA915DJ-T1-GE3 MOSFET 30V 4.5A 6.5W 87mOhms @ 10V datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
SIA915DJ-T1-GE3
库存数量:
可订货
制造商:
Vishay/Siliconix
描述:
MOSFET 30V 4.5A 6.5W 87mOhms @ 10V
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述
MOSFET 30V 4.5A 6.5W 87mOhms @ 10V
SIA915DJ-T1-GE3 PDF下载
制造商
Vishay/Siliconix
晶体管极性
P-Channel
汲极/源极击穿电压
- 30 V
闸/源击穿电压
+/- 20 V
漏极连续电流
- 4.5 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)
0.087 Ohms at - 10 V
配置
Dual
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-70
封装
Reel
相关资料
属性
链接
代理商
SIA915DJ-T1-GE3
SIA917DJ-T1-E3
SIA917DJ-T1-GE3
SIA920DJ-T1-GE3
SIA921EDJ-T1-GE3
SIA921EDJ-T4-GE3
供应商
公司名
电话
上海鑫科润电子科技有限公司
18521007236
鑫科润
深圳市毅创辉电子科技有限公司
19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697
雷春艳
深圳市贸盛微电子有限公司
0755-82208752
周先生
深圳市硅宇电子有限公司
13424293654
唐先生
集好芯城
0755-23607487
张育豪 13360528695
万三科技(深圳)有限公司
17722625241
张国龙
深圳市宝泰利科技有限公司
18306697305
黄喜平
SIA915DJ-T1-GE3 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
1
0.484
0.484
10
0.428
4.28
100
0.358
35.8
250
0.346
86.5
3,000
0.31
930
6,000
0
0
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